InP（磷化铟）
光互连里产生光的核心材料。AI 数据中心用的高速 1310nm/1550nm 光模块，其 EML 和作 CW 光源的激光器，几乎都在 InP 衬底上外延生长而成。接收端部分 InGaAs 光电探测器也依赖 InP 生态。属于 光互连 Layer 1。
为什么是”真正的瓶颈”
- 发射端不可替代：硅光收发器里调制器可用硅（Ge-on-Si PD），但真正发光仍要 InP。
- CPO 让依赖更强：CPO 位置极热，激光器怕热 → 把光源拉到封装外做 ELS（External Laser Source），其核心仍是 InP CW 激光器。
- 计量单位改变：可插拔时代按”模块数”，CPO 按 lane 数（单 ASIC 挂多光引擎、每引擎多 lane）→ InP 激光需求跳一个数量级。
供给为何追不上（5 个结构性原因）
- 客户认证周期长（新线到超大规模客户量产批准 12-24 个月）
- MOCVD 设备交期长（订单≠即产，装机/稳定工艺/爬良率）
- 制造 know-how 本身是壁垒（晶体生长/晶圆均匀性/外延质量，6 吋更难）
- 原材料 + 地缘：铟高度集中于中国，2025-02 起出口管制
- 产能溢出：大 IDM 抢先占衬底/设备资源 → 无自有 fab 的器件商被挤向外部外延代工 → 外部产能快速趋紧（市场尚未定价）
供应链分层（对应公司）
衬底 AXTI → MOCVD 设备 AIXA VECO → 外延代工 LandMark VPEC IQE → 器件/IDM COHR LITE
争议：会被绕过吗
- VCSEL（GaAs） 想在 scale-up CPO 抢份额 → 结论共存非替代，见 VCSEL
- 硅光集成激光 若商业化会削弱 InP，但 CW+ELS 结构 2-3 年内大概率延续；5-10 年才需认真考虑
- Damnang 坚持：未来 2-3 年 InP CW + SiPho 仍是 scale-up CPO 路线图主线
出处
- 43-InP瓶颈（主）· 80-VCSEL-CPO · 85-AEHR财报