VCSEL CPO 能否颠覆 InP 光学领域？
核心论点
由头：NVIDIA 硅光负责人 Ashkan Seyedi 跳槽 ams OSRAM（VCSEL 老厂）。问题：scale-up CPO 光源会不会从 InP 转向 VCSEL？结论 共存而非替代——InP CW+硅光守 scale-up 到 2028，VCSEL 退守 NPO/短距，InP 短缺越久 VCSEL 空间越大。投资应选”无论谁赢都吃量”的位置，而非押 VCSEL 赢。
关键数据/证据
- VCSEL 优势：GaAs 已 8 吋外延、不受 InP 短缺（但镓 2023-08 起中国管制）；<2pJ/bit；5 万亿器件小时零返修；200G PAM4/lane。
- VCSEL 三堵墙：① 散热（无法用 ELS 分离，16 光引擎仿真 >150°C）② 密集封装良率（无 TSMC COUPE 式标准平台）③ 路线图惯性（NVIDIA InP 锁到 2028 Feynman）。
- SemiAnalysis：NVLink 带宽是 scale-out 的 9x，Rubin 再翻倍。
- 证伪触发：VCSEL 密封良率/热分离突破 / InP 短缺超预期 / NVIDIA 上 VCSEL 阵列。
涉及标的与主题
光互连 · VCSEL · InP · CPO · 双光源最稳 COHR LITE；外延两边押 IQE；MRVL（Celestial AI）；对光源中立 Corning/Fabrinet；纯 VCSEL ams OSRAM；单一光源风险 AAOI/Sivers；AXTI VPEC