VCSEL（垂直腔面发射激光器）

生长在 GaAs（砷化镓）衬底上的小型激光器，单器件既发光又调制（直接调制电流 → 光强跟随 = 数据 0/1），无需外部调制器。与 InP 的分工在光互连里是关键光源之争。

VCSEL vs InP：为不同战场优化

VCSEL：短距强（延迟、功耗为王）；已大规模商用（Face ID、LiDAR、光电鼠标、数据中心 800G SR8/AOC）；50G/100G 通道累计 >5 万亿器件小时零返修；<2pJ/bit。
InP 系列：远距强（scale-out / 长途）；发射与调制分散到更多器件但传得更远。

支持 VCSEL 的两点：scale-up 是机架内/几机架间短链，VCSEL 的传输距离弱点在此变无关；低延迟低功耗恰好契合。GaAs 更成熟（已 8 吋外延），不受 InP 短缺（但镓也受中国出口管制，2023-08 起）。

三堵墙挡住 VCSEL：

散热（最大墙）：直接调制 → 光源与调制融为一体，无法像 InP 那样把 CW 光源拉出做 ELS 隔热。16 光引擎 + 交换芯片仿真温度 >150°C。
密集封装良率：数千通道高良率集成难；InP 已有 TSMC COUPE 量产平台，VCSEL 尚无标准集成路径 → 业界退而求 NPO 而非全 CPO。
路线图惯性：NVIDIA 已用 InP 硅光锁到 2028 Feynman，数十亿美元投入；技术可行 ≠ 推翻路线图。

InP 守 scale-up CPO 核心到 2028，VCSEL 占 NPO/短距，InP 短缺越久 VCSEL 越有空间。会推翻此判断的三个触发：① VCSEL 密封良率/热分离显著改善 ② InP 短缺超预期长 ③ NVIDIA 等真上 VCSEL 阵列。