Micron ($MU, 美国)

一句话定位

唯一美股上市的 DRAM/HBM 纯玩家，内存周期 “commodity → 定制硅” re-rating 的核心标的之一。

HBM 售罄 + 涨价已进财报：FY26 Q1 营收 $13.64B（+57% YoY），毛利 22%(FY24)→50%+。2025-08 已示意 2026 HBM 产能售罄。
定制转型三层营收（NRE/锁定/backlog）尚未反映在”bit×ASP”估值模型里 → re-rating 空间。见 HBM。
NVIDIA 为锁 HBM 量向其预付 $540-770M；custom HBM 在官方路线图。
新产能 ID1（爱达荷）2027 出片；周期衰减模型（84-Custom-Memory）把 2028 回撤从 45%→~17%。

无自有逻辑代工：base die 须交 TSMC（HBM4 仍用 DRAM 工艺、HBM4E 才转 TSMC 逻辑）→ 相对 Samsung 垂直整合弱。
2028 供给上线的 de-rating 风险仍在（若 custom 转型慢于预期，熊方对）。
commodity DRAM/NAND 仍随市场；#69 Vera Rubin SOCAMM 减半日 Micron 领跌（虽属误读）。

16 份策略客户协议（2026-2030）：约占该期 DRAM 出货 20%、NAND 1/3，含 take-or-pay + 客户存款 → 首次在投资前拿到长期需求能见度与收入底线。
PE 陷阱：表面 Forward PE 6.8x（ $849 / 年化 EPS$ 124）是”旺季利润当分母”，非价值信号（2018 同样 4-5x 后跌 50%+）。
真峰值在 FY2027：EPS ~ $150、FCF ~$ 720亿（Capex 同步升至 $300-350亿）。
Reverse DCF 结论：$849 隐含 FCF 保留率 ~80%（乐观）vs EPS/PE 保留率 35-47%（保守）；矛盾解 = “先种树后收果”（capex 压当下 FCF，2028-29 新厂完工后 FCF 追上账面利润）。现价定的是”软着陆如期发生”、非”长期高原”，合理但容错薄——若价格提前转跌 / HBM4E 延迟 / AI 出货失速任一发生，峰值停在今年、安全边际立薄。
扩产：爱达荷第一厂 2027 中首片→2028 上半年显著出货，新加坡 HBM 先进封装 2027 贡献。