87 · 我在韩国见了半导体专家（实地问答）
核心论点
Damnang 韩国实地走访金融/半导体专家的问答记录。核心洞察：内存虽向定制转型（看多依据），但仍是 commodity、供应商议价权有限——最终必须满足客户需求。围绕内存的权力博弈极其激烈，且转 custom 不自动给内存厂定价权（反而更依赖特定客户）。
关键数据/证据
- ⭐8-high HBM4 权力博弈：大客户要求评估 8 层（而非商业路线图的 12/16 层）以降单位容量成本。12→8 层理论上同 DRAM die 多产 50% HBM 堆栈，但 HBM4 base die 用台积电先进逻辑→更多堆栈=更多贵 base die+封装→毛利改善有限甚至承压。反证议价权已倒向内存厂；NVIDIA 收 Groq、AMD-Cerebras = 减少对 GPU+HBM 依赖。SK 主席崔泰源公开质疑内存价是否太贵。博弈料续到 2028-2030 custom 放量期。
- memory-on-logic：SK hynix 圣何塞 ~300 人团队（现判断为 R&D 组织非已锁客户；Jukan 猜客户=Apple）；需 HBM5 先进散热(iHBM)才实用。PIM：HBM PIM 因工程资源有限已暂停，LPDDR PIM 继续。
- HBM4/hybrid bonding：即时瓶颈=堆叠后翘曲/机械应力的键合良率；hybrid bonding 从 HBM5 起成必需（现仍不及传统键合）；SK hynix 混合键合领先三星。cHBM(HBM4E 研发中)=内存真正定制化第一步；设计工程师荒（需 synthesis 数字设计能力）。
- CXMT/YMTC：CXMT 到 2026 底 ~35 万片/月 DRAM 晶圆(≈Micron,15-20% 全球产能)但 bit 份额 ~10%；YMTC ~16-20 万片/月。影响先在消费市场，数据中心有限；若拿 Apple/高通订单会加速。新产能 2028 上线。
- NAND upcycle 要来（数据量增长，NAND+企业级 SSD 大幅受益）；KV cache 优化(FP4/INT8、MQA/GQA、prefix cache) + 硬件分层(HBM/DDR/CXL/SSD)。Micron RPO ~$1000亿；5 年战略 LTA；极强卖方市场，料续 3-5 年。SPHBM4 目前无量产计划。
- CPO：scale-out CPO 进入生产，市场 ~2028 成熟(2027 ramp)，集成封装良率已 mid-90%+ → 看多 AEHR；韩国 SiPho 初创跑三星代工。