83-Memory-on-Logic

Memory-on-Logic：超越周期的内存重估

核心论点

反驳”内存 = 周期股、2028 de-rating”的熊方。熊方仍把内存当 commodity，但技术地形正变——沿位置轴 HBM → cHBM → memory-on-logic，base die 越靠近客户硅，内存厂越从”通用制造商”变”定制硅伙伴”，“同 spec 谁做都一样”的前提越失效。这是作者看多内存 re-rating 的工程学依据。

关键数据/证据

• base die 工艺迁移（HBM4 起 DRAM→逻辑）：SK hynix TSMC 12nm / Samsung 自家 4nm / Micron HBM4 仍 DRAM 工艺、HBM4E 转 TSMC。
• memory-on-logic：GT+SK hynix 论文 64x 吞吐/3x 能效 vs 2.5D；最大风险=散热。
• Qualcomm HBC（memory-on-logic，LPDDR+专用加速器，无 interposer/CoWoS）：AI250 2027 中，Microsoft Azure/Saudi Humain。6x 带宽/瓦 vs HBM。
• 营收结构 commodity→ASIC 化：NRE 收入、锁定溢价、订单 backlog；HBM 5-6x DDR5 价；Micron FY26Q1 13.64B +57%，GM 22%→50%+；NVIDIA 预付 SK hynix/Micron 540-770M。
• 韩国内存厂在 San Jose 建数百人 memory-on-logic 团队（传闻）。GUC DoL（DRAM-on-Logic）。Marvell 与三厂共开发 cHBM。
• 4 追踪指标 + 3 时间锚点（AI250 2027中 / Feynman cHBM 2028 / AI300 HBC Gen2 2028）。3 情景（主流/收于 cHBM/小众）。

涉及标的与主题

内存周期 · HBM · PIM-PNM · Micron Samsung SKhynix QCOM MRVL；GUC/TSMC/Humain