SK hynix ($000660.KS, 韩国)
一句话定位
HBM 龙头,内存周期 custom 转型执行最积极的内存厂。
投资论点 (Bull)
- HBM 领导地位:2025-10 称 2026 DRAM/NAND/HBM 产能全售罄(现签 HBM 合同 2027 交付);与 NVIDIA 签多年内存共同开发+供应协议、收 NVIDIA 预付款。
- 合同结构强化:采用去掉价格上限的 LTA/SCA 结构 → 市场涨价直接进合同价(83-Memory-on-Logic)。
- memory-on-logic 前瞻投资:传在 San Jose 建数百人团队(须与客户 GPU/超算云芯片团队从架构阶段共设计);与 NVIDIA 等自 2023 谈 HBM 直堆处理器 + TSMC 晶圆键合。
- PIM:AiM(GDDR6,加速 attention)。GT+SK hynix 论文证 memory-on-logic 64x 吞吐/3x 能效。
熊方论证 (Bear)
- base die 须交 TSMC 12nm(无自有逻辑代工,对比 Samsung)。
- 客户集中:与 NVIDIA 深度绑定,若其程序缩量则风险随之。
- 三家 HBM 竞争或压缩溢价本身。
- 周期镜鉴(研56):2019 那轮下行 SK 海力士获利仅剩高峰的 15-20%(弹性最大);这轮有 HBM/长约垫底、压力测试保留 ~48%,但地板抬高≠周期消失。2026-06 已送 12 层 HBM4E 样品。
2026-08 更新(87·88·89)
- 对 CXMT 最绝缘(88-CXMT上市):盈利集中在 HBM,CXMT 进不了 HBM。真正驱动股价的是买 AI 加速器那几家的 capex,非 CXMT。P/E 4.69x。
- memory-on-logic 先行(87-韩国半导体专家):圣何塞 ~300 人团队(现判断为 R&D 组织、非已锁客户;Jukan 猜客户 Apple);需 HBM5 先进散热 iHBM 才实用。3D-stacked DRAM for on-device AI 招兵。
- hybrid bonding 领先三星:从 HBM5 起 hybrid bonding 成必需,SK hynix 有技术优势 → 内部有信心从 HBM4E 起重夺对三星优势。
- 7/29 财报(89-抛售底):营收/营业利润双创纪录但低于预期——miss 来自 HBM mix 更重(晶圆挤占进损益表),非需求转向;反而是「市场仍把内存当 commodity、没给 HBM 定价」的证据。峰值季 EPS 15 万韩元。
- 产能扩张 M15X/P&T7,积极招 fab 建设人才。
- 生态”测试是最被低估环节”(53-韩国AI半导体生态地图):市场学会”HBM=键合设备”(韩美半导体为证),但测试价值链(burn-in/探针卡/插座/handler/ATE)分散、多为耗材、且测试时间随堆叠非线性拉长——KGD 经济性逻辑与美股 AEHR 跨市场呼应。下游 KRX 标的(ISC/DI Corp/Techwing 等)见 韩国AI半导体生态。