供电瓶颈与 VPD（芯片级供电）
是什么 / 为什么重要
90-供电瓶颈 的核心概念，是 AI数据中心电力 最贴近芯片的一层（区别于「取电/电网」问题）。GPU >1000W 却只吃 <1V → 电流达数千安培（家庭约 200A）。两个物理问题让电能在到芯片前就变热：
- I²R 摩擦损耗：与电流平方成正比（电流翻倍损耗 4 倍）。芯片端电压提不了 → 唯一杠杆=路径更短更粗。
- 电压骤降 (voltage sag)：负载突增时电流瞬间跳，远端电源来不及响应，电压短暂下降，芯片自动降频防故障。
两问题不解决，买再多高端 GPU 也发挥不出性能——这就是供电瓶颈。
两解法 → 两类玩家
① 缩短路径（电源转换器）
- LPD 横向供电：转换器放芯片边缘（现主导，共识未来 2-3 年仍主导，因散热成熟、不需重设计）。
- VPD 垂直供电：转换器移到板下、芯片正下方，缩短大电流路径。难题=芯片热+转换器热同处。大封装（多计算 die+内存集成）让边缘没空间放转换器→VPD 论点变强，关键是厚度 vs 电流密度。
- 玩家：MPS（MPWR，功率半导体规模王，赌「每加速器功率含量随芯片功耗升」，即便 VPD 晚来也稳）、VICR（Vicor，VPD 专利+1.5mm 唯一能做，赌「布局一变模块+专利同时增值」，Cerebras 晶圆级客户）。问题不是哪种布局存活，而是转垂直有多快。
② 芯片旁电容（缓冲电压骤降）= MLCC
- 电容按离芯片距离分层：板上大聚合物/钽电容(慢)→芯片周围 MLCC(中,数量+价值最大)→封装内硅电容(快薄)。
- 需求已定，看价格与供给（像周期件：涨价买入、见新产能+消费需求回归前卖出）。现制约是供给非价（村田交期达 30 周）。
- 玩家：Murata 村田 · SEMCO 三星电机（高容量/高可靠 MLCC 双寡头）。
争议点 / 待观察
- LPD→VPD 转换速度（Vicor 上行的关键触发=第二厂动工）。
- MLCC 涨价周期何时终结于新产能（参照 2022 交还涨价）。